报告时间：2025年11月25日（周二）下午2:00
报告地点：南山1号楼415
承办系：电子工程系
报告一：铟基氧化物薄膜晶体管构筑、性能优化及应用探索
报告人：汪文豪博士数理信息学院
报告摘要：在平板显示时代，氧化物薄膜晶体管（TFT）是核心元件，但仍面临材料、工艺及柔性应用等挑战。本研究聚焦铟基氧化物沟道层，系统探索高k栅介质、掺杂工艺与低温制备技术。首先，采用溶液法制备HfLaOx栅介质，实现了低压、高开关比（>10⁶）且稳定性优良的TFT，并构建出高增益反相器。其次，通过La掺杂抑制氧空位，将迁移率提升至21.35 cm²/V·s，电压增益达10.20，展现出数字电路应用潜力。进一步，利用AlLiOx栅介质将工艺温度降至350℃，所制TFT不仅能实现低压逻辑运算，还可模拟多种突触行为，为神经形态计算提供新路径。最后，结合电解质栅介质与溅射工艺，室温制备出兼具机械稳定性、高增益（12.40）与突触功能的柔性TFT，为柔性逻辑与类脑电子器件发展奠定基础。
报告二： 界面空位对BaTiO3/Ge能带对齐的影响：理论与实验的协同探索
报告人：吴继宝博士数理信息学院
报告摘要：钙钛矿氧化物BaTiO3是Ge基高性能电子器件的理想栅介质候选材料。然而，在制备过程中不可避免引入界面空位。本研究结合X射线光电子能谱与第一性原理计算，系统揭示了界面空位对能带结构的调控机制。实验结果表明，该异质结呈现嵌套型I类能带对齐，价带偏移（VBO）为2.00 eV。理论研究进一步发现，BaO终端界面的VBO比TiO2终端高约0.59 eV。更重要的是，界面空位扮演着“调控开关”的角色：氧空位会显著增大VBO，而Ba空位和Ti空位则分别起到降低和提升VBO的作用。本研究从原子尺度阐明了界面缺陷对能带结构的影响机理，确立了“缺陷工程”作为调控BaTiO3/Ge异质结电学性能的有效策略，为未来设计高性能Ge基光电子器件提供了重要的理论与实验依据。
报告三：全自动钙钛矿太阳能电池制备装置的研发
报告人：俞韬在读硕士数理信息学院
报告摘要：该装置采用全自动钙钛矿太阳能电池一体化制备装置架构，集成电化学沉积、浸泡及吹扫等工艺，从而实现了钙钛矿太阳能电池的全自动制备，装置结构简单、操作简便、自动化程度高；通过程序设计还实现了钙钛矿太阳能电池的自主循环多片制备，提高了制备效率；采用运动滑台、机械爪及电源等国产组件构建全自动制备装置，装置成本仅需0.5万元。通过优化制备工艺，基于该装置制备的钙钛矿太阳能电池的光电转换效率超过15%，未来将该装置集成刮涂或喷涂等工艺模块制备钙钛矿太阳能电池电极，同时引入在线监测与反馈系统，有望建立一条自动化程度高、成本低且环保的钙钛矿太阳能电池商业化制备路线。
欢迎感兴趣的老师和学生参加！
