报告题目：正电子谱学技术及应用研究
报告时间：2021-05-12（周三）上午8：30
报告地点：南山一号楼415
报告人简介：
曹兴忠，中国科学院高能物理研究所研究员。获2015年北京市科学技术一等奖（3/15）；承担国家自然科学基金委重点项目和多个面上项目；发表文章百余篇，申请发明专利5项。目前研究领域：（1）正电子谱学技术的发展及应用研究：新型正电子湮没谱学技术的发展、高性能慢正电子束流线的发展、正电子谱学在材料微观缺陷研究中的应用；（2）核能结构材料辐照损伤效应和微观缺陷：先进核能系统结构材料辐照损伤效应、微观缺陷的演化机理、结构材料中氢/氦行为和肿胀机理、结构材料中元素偏析及微/纳偏析相的表征分析；（3）新型功能材料微观结构：应用正电子湮没寿命谱、AMOC、Ps-TOF等谱学技术，研究功能材料微观结构、微观缺陷、化学元素等微环境信息。
